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晶圆减薄

晶圆减薄的背面研磨工艺中(Backside Grinding, BG),利用研磨轮,进行快速而精密之研磨 (Grinding) 后,再以蚀刻液进行表面微蚀刻,藉以去除因研磨产生的破坏层,并释放应力。


通常在晶片封装前,需要对晶片背面多余的基体材料去除一定的厚度,这一工艺过程称之为晶片减薄。在后道制程阶段,晶圆(正面已布好电路的硅片)在后续划片、压焊和封装之前需要进行背面减薄加工以降低封装贴装高度,减小芯片封装体积,改善芯片的热扩散效率、电气性能、机械性能及减小划片的加工量。



一般研磨 (Wafer Thining/Non-TaikoNon-Taiko Grinding)流程

客户晶圆完成入站检验后,依照客户晶圆特性,与前段晶圆代工厂所生产的护层确认所需使用之胶带后,进行胶带贴附 (Taping);接着,进行一般研磨 (Non-Taiko Grinding / Conventional Grinding),并在完成一般研磨后,进行晶背湿蚀刻 (Backside Wet Etching);最后,进行厚度量测 (Measurement) 后,出站检验。

1、入站检验(IQC)
2、胶带贴附(Taping)
3、一般研磨(Wafer Thinning / Non-Taiko Grinding)
4、晶背湿蚀刻(Backside Wet Etching)
5、厚度量测(Measurement)
6、出站检验(OQC)


采用DISCO全自动机台,可精准控制研磨

提供有槽式及单片式蚀刻机台,可依客户需求对N型或 P型晶圆提供亮面与粗面制程。
提供非接触式光学量测,高精准度,完胜一般业界所使用之千分表 (Dial Gauge)。
工程师团队背景多元化,有来自前段晶圆代工厂、晶圆薄化专家、后段封装厂,熟悉前中后段之制程整合及分析,能协助客户快速开发、解决问题、稳定量产。

减薄要求

圆晶减薄

晶圆基材

总厚度变化TTV

翘曲度 Wrap

粗糙度Ry(2000#)

Ra(2000#)

碎片率(150μm以上)

5英寸 硅基材质 ±3μm ≤1mm ≤0.13μm 0.065μm ±1%
6英寸 硅基材质 ±3μm ≤1mm ≤0.13μm 0.065μm ±1%
8英寸 硅基材质 ±3μm ≤1mm ≤0.13μm 0.065μm ±1%
超薄片 硅基材质 ±3μm ≤1mm ≤0.13μm 0.065μm ±1%